搜索
发布采购
- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS PNP 100V 1A LOW SAT SOT89
- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PBSS9110X,135 中文资料属性参数
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：320mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：150 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：SOT-89-3
- 包装：带卷 (TR)
PBSS9110X,135 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS9110X,135
|
TRANS PNP 100V 1A LOW SAT SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:150; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-120mV; Current Ic Continuous a Max:-250mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:150; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:550mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
15页,137K | 查看 |
|
PBSS9110X,135
|
TRANS PNP 100V 1A SOT89 |
15页,200K | 查看 |