- 封装:TO-243AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANS NPN 80V 4.6A SOT-89
- 封装:TO-243AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
PBSS305NX,115 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
-
Nexperia
-
SOT89
21+ -
1000
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上海市
-
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一级代理原装
PBSS305NX,115 中文资料属性参数
- 产品培训模块:BISS Transistors
- 特色产品:NXP - I2C Interface
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.6A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):240mV @ 230mA,4.6A
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):180 @ 2A,2V
- 功率 - 最大:2.1W
- 频率 - 转换:110MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:带卷 (TR)
PBSS305NX,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
PBSS305NX,115
|
TRANS NPN 80V 4.6A SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:4.6A; DC Current Gain hFE:470; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:40mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:300; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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PBSS305NX,115