搜索
发布采购
NSBC115EPDXV6T1G
双极晶体管阵列，预偏置更新日期：2024-04-01 00:04:00
NSBC115EPDXV6T1G
双极晶体管阵列，预偏置产品简介：SS SOT563 RSTR XSTR TR
NSBC115EPDXV6T1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ONSemiconductor
-
SOT-563
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NSBC115EPDXV6T1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：8,000 : ￥0.55516卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)：100 千欧
- 电阻器 - 发射极 (R2)：100 千欧
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
- 频率 - 跃迁：-
- 功率 - 最大值：357mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-563