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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08742
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS JFET SW N-CHAN 30V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08742
MMBF4393LT3G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ORSEMI/安森美
-
SOT-23-3
22+ -
668183
-
上海市
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-
-
原装可开发票
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ON Semiconductor
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
23+ -
4000
-
上海市
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MMBF4393LT3G 中文资料属性参数
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：5mA @ 15V
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：500mV @ 10nA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：14pF @ 15V
- 电阻 - RDS（开）：100 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大：225mW
MMBF4393LT3G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBF4393LT3G
|
Transistor; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage, Vbr:30V; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-3V; Power Dissipation, Pd:225mW; No. of Pins:3; Zero Gate Voltage Drain Current Max, Idss:30000μA ;RoHS Compliant: Yes |
6页,83K | 查看 |