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LMG3410R150RWHR

Texas Instruments 配电开关，负载驱动器

更新日期：2024-04-01 00:04:00

LMG3410R150RWHR

Texas Instruments 配电开关，负载驱动器

产品简介：具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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LMG3410R150RWHR 供应商

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LMG3410R150RWHR 中文资料属性参数

  • 现有数量：1,598现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥75.68000剪切带（CT）2,000 : ￥47.69942卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 开关类型：负载开关
  • 输出数：1
  • 比率 - 输入:输出：1：1
  • 输出配置：高端
  • 输出类型：N 通道
  • 接口：逻辑，PWM
  • 电压 - 负载：480V（最大）
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
  • 电流 - 输出（最大值）：6A
  • 导通电阻（典型值）：150 毫欧
  • 输入类型：非反相
  • 特性：自举电路，5V 稳压输出
  • 故障保护：过流，超温，UVLO
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：32-VQFN（8x8）
  • 封装/外壳：32-VQFN 裸露焊盘

产品特性

  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制数字故障状态输出信号仅需 +12V 非稳压电源
  • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
  • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
  • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器 零共源电感 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率逐周期过流保护
  • 零共源电感
  • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
  • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
  • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 逐周期过流保护
  • 强大的保护 无需外部保护组件 过流保护，响应时间低于 100ns压摆率抗扰性高于 150V/ns瞬态过压抗扰度过热保护针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 无需外部保护组件
  • 过流保护，响应时间低于 100ns
  • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项： LMG3410R150：锁存过流保护 LMG3411R150：逐周期过流保护
  • LMG3410R150：锁存过流保护
  • LMG3411R150：逐周期过流保护

产品概述

LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
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LMG3410R150RWHR 电路图

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