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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器
查看详情LMG1205YFXT 供应商
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3288
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上海市
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一级代理原装
LMG1205YFXT 中文资料属性参数
- 现有数量：523现货
- 价格：1 : ￥33.15000剪切带（CT）250 : ￥23.13452卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- Digi-Key Programmable：Not Verified
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
- 逻辑电压?- VIL，VIH：1.76V，1.89V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.2A，5A
- 输入类型：TTL
- 高压侧电压 - 最大值（自举）：100 V
- 上升/下降时间（典型值）：7ns，3.5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：12-WFBGA，DSBGA
- 供应商器件封装：12-DSBGA
产品特性
- 独立的高边和低边 TTL 逻辑输入
- 1.2A 峰值拉电流，5A 灌电流
- 高边浮动偏置电压轨 工作电压高达 100VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离输出实现可调的 导通/关断强度
- 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
- 快速传播时间（典型值为 35ns）
- 出色的传播延迟匹配 （典型值为 1.5ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
产品概述
LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高边和低边输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成，内部钳位为 5V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，都能够承受高达 14V 的输入电压。LMG1205 具有分离栅输出，可独立灵活地调节导通和关断强度。此外，LMG1205 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LMG1205 的工作频率可高达数 MHz。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装，具有紧凑的外形尺寸和超小的封装电感。
LMG1205YFXT 电路图
LMG1205YFXT 电路图
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