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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：具有集成式 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
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LM66100DCKT 中文资料属性参数
- 现有数量：53现货
- 价格：1 : ￥7.08000剪切带（CT）250 : ￥4.61476卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 类型：-
- FET 类型：P 通道
- 比率 - 输入:输出：1：1
- 内部开关：是
- 延迟时间 - 开启：27 μs
- 延迟时间 - 关闭：2 μs
- 电流 - 输出（最大值）：1.5A
- 电流 - 供电：-
- 电压 - 供电：1.5V ~ 5.5V
- 应用：通用
- 工作温度：-40°C ~ 105°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-70-6
产品特性
- 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V
- 输入电压反向关断电压：绝对最大电压为 –6V
- 最大持续电流 (IMAX)：1.5A
- 导通电阻 (RON)： 5V VIN = 79mΩ（典型值） 3.6V VIN = 91mΩ（典型值） 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 5V VIN = 79mΩ（典型值）
- 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 启用比较器芯片 (CE)
- 通道状态指示 (ST)
- 低电流消耗： 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN)：120nA（典型值） 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
- 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
- 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
产品概述
LM66100 是单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，非常适用于各种 解决方案。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。 该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100 还具有反极性保护 (RPP) 功能，该功能可以保护器件不受误接线输入的影响，例如电池装反。 可在 ORing 配置中使用两个 LM66100 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输出电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压，以确保内部电压比较器成功阻止反向电流。LM66100 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 125°C。
LM66100DCKT 电路图
LM66100DCKT 电路图
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