搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器
查看详情LM5113QDPRRQ1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
TI
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
LM5113QDPRRQ1 中文资料属性参数
- 现有数量：8,063现货
- 价格：1 : ￥37.52000剪切带（CT）4,500 : ￥21.23816卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- Digi-Key Programmable：Not Verified
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
- 逻辑电压?- VIL，VIH：-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.2A，5A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）：100 V
- 上升/下降时间（典型值）：7ns，3.5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：10-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：10-WSON（4x4）
产品特性
- 符合汽车应用 标准
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 HBM ESD 分类等级 1C 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 1C
- 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
- 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力
- 高侧浮动偏置电压轨工作电压高达 100VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离输出实现可调的开通和关断应力
- 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
- 快速传播时间（典型值为 28ns）
- 优异的传播延迟（典型值为 1.5ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
产品概述
LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。
LM5113QDPRRQ1 电路图
LM5113QDPRRQ1 电路图
LM5113QDPRRQ1 相关产品
- 2SD300C17A1
- 2SP0115T2A0-12
- 5962-1022101VSC
- 5962-8686102XA
- 5962-8688202XA
- 5962-89728022A
- 5962-89805012A
- 5962-8982402PA
- 5962-9322201MEA
- 7604501EA
- 85514012A
- 8551401PA
- 905X0205100
- 90E23PYGI8
- 90E24PYGI8
- 90E36ERGI
- A4910KJPTR-T
- A4915METTR-T
- A4930GETTR-T
- A4990KLPTR-T
- A5974AD
- A5974D
- A5975D
- A8304SESTR-T
- AAT2153IVN-0.6-T1
- AAT2823IBK-1-T1
- AAT4684ITP-T1
- AD536ASD/883B
- AD536ASH/883B
- AD580SH/883B