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IMH3AT110

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.085

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IMH3AT110

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

产品简介：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457

  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.085

IMH3AT110 供应商

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IMH3AT110 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 1mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：SMT6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IMH3AT110-NDIMH3AT110TR

IMH3AT110 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IMH3AT110

TRANSISTOR DUAL SC-74 NPN/NPN; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Package / Case:SOT-457; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose; Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:5mA; Hfe Min:100; Power Dissipation Pd:300mW

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