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- 封装：SOT-623F
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
- 封装：SOT-623F
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
FJZ594JTF 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：150µA @ 5V
- 漏极至源极电压(Vdss)：-
- 漏极电流 (Id) - 最大：1mA
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：20V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：600mV @ 1µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3.5pF @ 5V
- 电阻 - RDS（开）：-
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：SOT-623F
- 供应商设备封装：SOT-623F
- 功率 - 最大：100mW