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DPA02257RGBR

Texas Instruments 特殊用途稳压器

更新日期：2024-04-01

DPA02257RGBR

Texas Instruments 特殊用途稳压器

产品简介：适用于 DDR 内存终端的低输入电压、6A 同步降压 SWIFT™ 转换器

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DPA02257RGBR 供应商

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DPA02257RGBR 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货9,000Factory查看交期
  • 价格：3,000 : ￥24.00473卷带（TR）
  • 系列：D-CAP+?
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • 应用：转换器，DDR
  • 电压 - 输入：1V ~ 6V
  • 输出数：1
  • 电压 - 输出：0.6V ~ 2V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：20-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：20-VQFN（3.5x4）

产品特性

  • 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
  • 支持 DDR 内存终止，具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
  • 外部跟踪
  • 最少的外部组件数
  • 1V 至 6V 转换电压
  • D-CAP+ 模式架构
  • 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
  • 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
  • 轻量级负载与重负载下的优化效率
  • 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
  • 可选过流限制 (OCL)
  • 过压、过热和断续欠压保护
  • 可调输出电压范围为 0.6V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装
  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
  • VTT 终止
  • 用于 1V 至 6V 输入电源轨的低电压应用

产品概述

TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
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DPA02257RGBR 电路图

DPA02257RGBR 电路图

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