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CSD95378BQ5M

Texas Instruments 全半桥驱动器

更新日期：2024-04-01

CSD95378BQ5M

Texas Instruments 全半桥驱动器

产品简介：带 TAO 偏移的 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

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CSD95378BQ5M 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
  • 价格：1 : ￥38.24000剪切带（CT）2,500 : ￥21.65554卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 输出配置：半桥
  • 应用：同步降压转换器
  • 接口：PWM
  • 负载类型：电感
  • 技术：功率 MOSFET
  • 导通电阻（典型值）：-
  • 电流 - 输出/通道：60A
  • 电流 - 峰值输出：90A
  • 电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
  • 电压 - 负载：4.5V ~ 16V
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 特性：自举电路，状态标志
  • 故障保护：限流，超温，击穿，短路，UVLO
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：12-PowerLFDFN
  • 供应商器件封装：12-LSON-CLIP（5x6）

产品特性

  • 60A 持续运行电流能力
  • 电流 30A 时，系统效率为 93.4%
  • 电流 30A 时，低功耗损耗为 2.8W
  • 高频工作（高达 1.25MHz）
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感测
  • 模拟温度输出（0°C 时 400mV）
  • 故障监控 高端短路、过流和过热保护
  • 高端短路、过流和过热保护
  • 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 用于击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 封装
  • 符合 RoHS 环保标准 – 无铅引脚镀层
  • 无卤素

产品概述

CSD95378BQ5M NexFET™智能功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合可在 5mm x 6mm 小型封装中提供高电流、高效率的高速切换功能。它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。
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CSD95378BQ5M 电路图

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