
SI2323DS-T1-E3
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:12000
- 数据列表 :SI2323DS
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :3.7A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C :39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大) :1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :19nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :1020pF @ 10V
- 功率 - 最大 :750mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3(TO-236)
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI2323DS-T1-E3TR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
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1 | 2025-08-01-2025-08-31 | 1 |
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