SI2323DS-T1-E3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:12000
- 数据列表 :SI2323DS
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :3.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :19nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :1020pF @ 10V
- 功率 - 最大 :750mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI2323DS-T1-E3TR
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-10-21-2024-10-27 | 1 |
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| 2 | 2024-09-09-2024-09-15 | 1 |
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| 3 | 2024-03-18-2024-03-24 | 1 |
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| 4 | 2024-02-19-2024-02-25 | 1 |
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| 5 | 2024-01-22-2024-01-28 | 1 |
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| 6 | 2024-01-15-2024-01-21 | 1 |
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| 7 | 2023-11-06-2023-11-12 | 1 |
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| 8 | 2023-10-02-2023-10-08 | 1 |
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| 9 | 2023-08-07-2023-08-13 | 1 |
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| 10 | 2023-06-05-2023-06-11 | 1 |
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| 11 | 2023-04-17-2023-04-23 | 1 |
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| 12 | 2023-02-27-2023-03-05 | 1 |
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| 13 | 2023-02-20-2023-02-26 | 1 |
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| 14 | 2023-02-13-2023-02-19 | 1 |
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