NTLJD3115PT1GON Semiconductor
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:0
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 阵列
- 系列 :-
- FET 型 :2 个 P 沟道（双）
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :2.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :100 毫欧 @ 2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :6.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :531pF @ 10V
- 功率 - 最大 :710mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装 :6-WDFN（2x2）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :NTLJD3115PT1G-NDNTLJD3115PT1GOSTR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-08-01-2025-08-31 | 2 |
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| 2 | 2025-07-01-2025-07-31 | 2 |
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| 3 | 2025-05-01-2025-05-31 | 1 |
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| 4 | 2024-08-01-2024-08-31 | 1 |
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| 5 | 2024-05-01-2024-05-31 | 1 |
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| 6 | 2024-03-01-2024-03-31 | 1 |
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| 7 | 2024-01-01-2024-01-31 | 2 |
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| 8 | 2023-11-01-2023-11-30 | 1 |
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| 9 | 2023-07-01-2023-07-31 | 2 |
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