NTLJD3115PT1GON Semiconductor
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- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 阵列
- 系列 :-
- FET 型 :2 个 P 沟道（双）
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :2.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :100 毫欧 @ 2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :6.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :531pF @ 10V
- 功率 - 最大 :710mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装 :6-WDFN（2x2）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :NTLJD3115PT1G-NDNTLJD3115PT1GOSTR
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