IRF820
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- 标准包装 :1,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :2.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :24nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :360pF @ 25V
- 功率 - 最大 :50W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :TO-220AB
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRF820IRF820IR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
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| 1 | 2025-08-01-2025-08-31 | 1 |
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| 2 | 2025-07-01-2025-07-31 | 1 |
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| 3 | 2025-05-01-2025-05-31 | 1 |
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| 4 | 2023-12-01-2023-12-31 | 1 |
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| 5 | 2023-10-01-2023-10-31 | 1 |
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| 6 | 2023-06-01-2023-06-30 | 4 |
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| 7 | 2023-05-01-2023-05-31 | 4 |
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| 8 | 2023-03-01-2023-03-31 | 5 |
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| 9 | 2023-02-01-2023-02-28 | 4 |
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