IRF820
参考价格:暂无参考价搜索次数:0现货供应商:0 家现货库存总量:0
- 标准包装 :1,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :2.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :24nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :360pF @ 25V
- 功率 - 最大 :50W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :TO-220AB
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRF820IRF820IR
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2023-12-18-2023-12-24 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 2 | 2023-10-23-2023-10-29 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 3 | 2023-06-26-2023-07-02 | 2 |
0
|
0.00%
|
| 4 | 2023-06-12-2023-06-18 | 2 |
0
|
0.00%
|
| 5 | 2023-05-22-2023-05-28 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 6 | 2023-05-15-2023-05-21 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 7 | 2023-05-08-2023-05-14 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 8 | 2023-05-01-2023-05-07 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 9 | 2023-03-06-2023-03-12 | 3 |
0
|
0.00%
|
| 10 | 2023-02-27-2023-03-05 | 3 |
0
|
0.00%
|
| 11 | 2023-02-20-2023-02-26 | 3 |
0
|
0.00%
|