IRF8113International Rectifier
今日搜索:5昨日搜索:3
参考价格:暂无参考价搜索次数:0现货供应商:0 家现货库存总量:0
- 标准包装 :95
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :HEXFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :17.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :5.6 毫欧 @ 17.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :36nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :2910pF @ 15V
- 功率 - 最大 :2.5W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SO
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRF8113
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-09-01-2025-09-30 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 2 | 2025-07-01-2025-07-31 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 3 | 2025-04-01-2025-04-30 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 4 | 2025-02-01-2025-02-28 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 5 | 2025-01-01-2025-01-31 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 6 | 2024-08-01-2024-08-31 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 7 | 2024-06-01-2024-06-30 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 8 | 2024-03-01-2024-03-31 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 9 | 2023-07-01-2023-07-31 | 1 |
0
|
0.00%
|