IRF8113International Rectifier
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- 标准包装 :95
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :HEXFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :17.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :5.6 毫欧 @ 17.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :36nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :2910pF @ 15V
- 功率 - 最大 :2.5W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SO
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRF8113
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