BSM100GB120DN2
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:50
- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Half Bridge Module
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
- 在25 C的连续集电极电流 :150 A
- 栅极—射极漏泄电流 :200 nA
- 功率耗散 :800 W
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Half Bridge2
- 栅极/发射极最大电压 :20 V
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2026-09-01-2026-09-30 | 2 |
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0.00%
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| 2 | 2026-08-01-2026-08-31 | 2 |
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| 3 | 2026-07-01-2026-07-31 | 2 |
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| 4 | 2026-05-01-2026-05-31 | 1 |
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| 5 | 2026-04-01-2026-04-30 | 6 |
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| 6 | 2026-03-01-2026-03-31 | 2 |
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| 7 | 2026-02-01-2026-02-28 | 1 |
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| 8 | 2026-01-01-2026-01-31 | 1 |
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| 9 | 2025-09-01-2025-09-30 | 1 |
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| 10 | 2025-05-01-2025-05-31 | 1 |
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| 11 | 2024-09-01-2024-09-30 | 2 |
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| 12 | 2024-07-01-2024-07-31 | 2 |
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月价格指数
| 序号 | 日期 | 价格 | 价格变化(元) | 价格变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-1-01-2024-01-31 | 380.0000 |
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