BSM100GB120DN2
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:50
- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Half Bridge Module
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
- 在25 C的连续集电极电流 :150 A
- 栅极—射极漏泄电流 :200 nA
- 功率耗散 :800 W
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Half Bridge2
- 栅极/发射极最大电压 :20 V
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-09-16-2024-09-22 | 2 |
0
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0.00%
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| 2 | 2024-07-01-2024-07-07 | 2 |
-1
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-33.33%
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| 3 | 2024-06-24-2024-06-30 | 3 |
0
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| 4 | 2024-03-18-2024-03-24 | 11 |
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| 5 | 2023-11-13-2023-11-19 | 12 |
1
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9.09%
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| 6 | 2023-11-06-2023-11-12 | 11 |
0
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| 7 | 2023-10-16-2023-10-22 | 13 |
1
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8.33%
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| 8 | 2023-10-09-2023-10-15 | 12 |
0
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| 9 | 2023-09-25-2023-10-01 | 11 |
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| 10 | 2023-09-11-2023-09-17 | 11 |
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| 11 | 2023-08-14-2023-08-20 | 11 |
0
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| 12 | 2023-07-17-2023-07-23 | 11 |
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| 13 | 2023-07-03-2023-07-09 | 12 |
1
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9.09%
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| 14 | 2023-06-26-2023-07-02 | 11 |
0
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| 15 | 2023-05-22-2023-05-28 | 11 |
0
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| 16 | 2023-04-24-2023-04-30 | 12 |
1
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| 17 | 2023-04-17-2023-04-23 | 11 |
0
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| 18 | 2023-03-27-2023-04-02 | 11 |
0
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0.00%
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| 19 | 2023-03-06-2023-03-12 | 11 |
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| 20 | 2023-02-13-2023-02-19 | 11 |
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周价格指数
| 序号 | 日期 | 价格 | 价格变化(元) | 价格变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-01-15-2024-01-21 | 380.0000 |
0
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