2N7002LT1ON Semiconductor
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- 标准包装 :10
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :115mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :7.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :50pF @ 25V
- 功率 - 最大 :225mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :剪切带 (CT)
- 其它名称 :2N7002LT1OSCT
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
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| 1 | 2024-11-01-2024-11-30 | 1 |
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| 2 | 2024-07-01-2024-07-31 | 2 |
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| 7 | 2023-03-01-2023-03-31 | 41 |
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| 8 | 2023-02-01-2023-02-28 | 41 |
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