2N7002LT1ON Semiconductor
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- 标准包装 :10
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :115mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :7.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :50pF @ 25V
- 功率 - 最大 :225mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :剪切带 (CT)
- 其它名称 :2N7002LT1OSCT
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
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| 1 | 2024-11-04-2024-11-10 | 1 |
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| 2 | 2024-07-01-2024-07-07 | 2 |
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| 3 | 2024-06-24-2024-06-30 | 1 |
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| 4 | 2024-06-03-2024-06-09 | 1 |
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| 5 | 2024-04-22-2024-04-28 | 1 |
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| 6 | 2024-01-01-2024-01-07 | 11 |
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| 7 | 2023-04-24-2023-04-30 | 11 |
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| 8 | 2023-03-06-2023-03-12 | 11 |
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| 9 | 2023-02-13-2023-02-19 | 11 |
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