分离式半导体产品热门型号
器件图 | 型号 | 制造商 | 封装 | 描述 | 价格 | |
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PI5101-00-LGIZ | - | 3-FLGA |
MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA |
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TPS1100PWR | Texas Instruments | 8-TSSOP(0.173",4.40mm |
单路 P 通道增强-模式 MOSFET |
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TPS1101PWR | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm |
单路 P 通道增强-模式 MOSFET |
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CSD16403Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16404Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16406Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16407Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16409Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16410Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16411Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16412Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16414Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD23201W10 | Texas Instruments | 4-UFBGA,DSBGA |
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
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CSD25301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA,DSBGA |
MOSFET PCH 20V 2.2A 1X1.5 6DSBGA |
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CSD25401Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN |
MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON |
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CSD16321Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16323Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16413Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16401Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |
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CSD16325Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET |