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2SK0663GRL
JFET（结点场效应- 封装：SC-85
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SK0663GRL
JFET（结点场效应产品简介：JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3
- 封装：SC-85
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
2SK0663GRL 中文资料属性参数
- 数据列表：2SK0663G View All Specifications
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：1mA @ 10V
- 漏极至源极电压(Vdss)：55V
- 漏极电流 (Id) - 最大：30mA
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：5V @ 10µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：6.5pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：-
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：SC-85
- 供应商设备封装：S迷你型3-F2
- 功率 - 最大：150mW
- 其它名称：2SK0663GRLTR