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2SJ01640RA
JFET（结点场效应- 封装：3-SIP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
更新日期：2024-04-01
2SJ01640RA
JFET（结点场效应产品简介：JFET P-CH 65V 20MA NS-B1
- 封装：3-SIP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
2SJ01640RA 中文资料属性参数
- 数据列表：2SJ01640RA View all Specifications
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：600µA @ 10V
- 漏极至源极电压(Vdss)：-
- 漏极电流 (Id) - 最大：20mA
- FET 型：P 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：1.5V @ 10µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：10pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：300 欧姆
- 安装类型：通孔
- 包装：带盒（TB）
- 封装/外壳：3-SIP
- 供应商设备封装：NS-A1
- 功率 - 最大：300mW
- 其它名称：2SJ01640RATB