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ZXTDCM832TA
晶体管(BJT) - 阵列- 封装：8-MLP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
ZXTDCM832TA
晶体管(BJT) - 阵列产品简介：TRANS NPN DUAL LOSAT 50V 8-MLP
- 封装：8-MLP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXTDCM832TA 供应商
- 公司
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- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-MLP(3x2)
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXTDCM832TA 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：320mV @ 200mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：25nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 2A，2V
- 功率 - 最大：1.7W
- 频率 - 转换：165MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-MLP
- 供应商设备封装：8-MLP（3x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXTDCBM832TAZXTDCBM832TATRZXTDCBM832TATR-NDZXTDCM832TATR
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