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BC807DS,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.08082-$0.44

更新日期：2024-04-01

BC807DS,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

产品简介：TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT457

  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.08082-$0.44

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BC807DS,115 中文资料属性参数

  • 特色产品：NXP - I2C Interface
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：160 @ 100mA，1V
  • 功率 - 最大：600mW
  • 频率 - 转换：80MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：®
  • 其它名称：568-7989-6

BC807DS,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BC807DS,115

TRANSISTOR PNP 0.5A 45V SOT457; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:160; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:80MHz; Package / Case:SOT-457; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose; Collector Emitter Voltage Vces:-700mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Hfe Min:160; Power Dissipation Pd:600mW

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