ZXTD4591E6TC
晶体管(BJT) - 阵列- 封装:SOT-23-6
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01
ZXTD4591E6TC
晶体管(BJT) - 阵列产品简介:TRANSISTOR NPN/PNP 60V SOT23-6
- 封装:SOT-23-6
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
ZXTD4591E6TC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
SOT-23-6
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXTD4591E6TC 中文资料属性参数
- 标准包装:10,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A / 500mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大):100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA,5V
- 功率 - 最大:1.1W
- 频率 - 转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-23-6
- 包装:带卷 (TR)
ZXTD4591E6TC 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS |
7 Pages页,162K | 查看 |
ZXTD4591E6TC 相关产品
- BC 847PN H6327
- BC807DS,115
- BC817DPN,115
- BC846BPN,115
- BC847BDW1T3G
- BC847BPN,115
- BC847BS,115
- BC847BV,115
- BC847CDW1T1G
- BC847CDXV6T1G
- BC848CDW1T1G
- BC848CPDW1T1G
- BC856AS-7
- BC856BDW1T3G
- BC857BS,115
- BC858CDW1T1G
- CPH5506-TL-E
- DMG204010R
- DMG204B10R
- DMG904010R
- DMMT5401-7-F
- DST3904DJ-7
- DST3906DJ-7
- EMT3T2R
- EMX1T2R
- FMY1AT148
- FMY4AT148
- IMX17T110
- IMX3T108
- IMZ2AT108