ZXT12P12DXTA
晶体管(BJT) - 阵列- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.74675
更新日期:2024-04-01
ZXT12P12DXTA
晶体管(BJT) - 阵列产品简介:TRANS PNP DL LS -12V -3A 8-MSOP
- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.74675
ZXT12P12DXTA 中文资料属性参数
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
- 系列:-
- 晶体管类型:2 PNP(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):270mV @ 30mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大):100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 1A,2V
- 功率 - 最大:1.04W
- 频率 - 转换:85MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:8-MSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:ZXT12P12DXTR
ZXT12P12DXTA 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
DUAL 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
6 Pages页,259K | 查看 |
ZXT12P12DXTA 相关产品
- BC 847PN H6327
- BC807DS,115
- BC817DPN,115
- BC846BPN,115
- BC847BDW1T3G
- BC847BPN,115
- BC847BS,115
- BC847BV,115
- BC847CDW1T1G
- BC847CDXV6T1G
- BC848CDW1T1G
- BC848CPDW1T1G
- BC856AS-7
- BC856BDW1T3G
- BC857BS,115
- BC858CDW1T1G
- CPH5506-TL-E
- DMG204010R
- DMG204B10R
- DMG904010R
- DMMT5401-7-F
- DST3904DJ-7
- DST3906DJ-7
- EMT3T2R
- EMX1T2R
- FMY1AT148
- FMY4AT148
- IMX17T110
- IMX3T108
- IMZ2AT108