VS-GT80DA120U
IGBT 模块更新日期:2024-04-01
VS-GT80DA120U
IGBT 模块产品简介:IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
VS-GT80DA120U 供应商
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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标准封装
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全新原装进口正品IGBT模块 功率模块现货直销质保一
VS-GT80DA120U 中文资料属性参数
- 现有数量:155现货
- 价格:1 : ¥309.97000散装
- 系列:HEXFRED?
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟道
- 配置:单路
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):139 A
- 功率 - 最大值:658 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.55V @ 15V,80A
- 电流 - 集电极截止(最大值):100 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):4.4 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227
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