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FGA30N65SMD
单 IGBT更新日期：2024-04-01
FGA30N65SMD
单 IGBT产品简介：IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
FGA30N65SMD 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Fairchild
-
TO-3P-3, SC-65-3
21+ -
8402
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
isc/固电半导体
-
TO-3PB
2024+ -
5000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
ON Semiconductor
-
TO-3P-3，SC-65-3
23+ -
4000
-
上海市
-
-
FGA30N65SMD 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：300 W
- 开关能量：716μJ（开），208μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：87 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：14ns/102ns
- 测试条件：400V，30A，6 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：35 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：TO-3PN
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