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VS-ETF150Y65U
IGBT 模块更新日期：2024-04-01 00:04:00
VS-ETF150Y65U
IGBT 模块产品简介：IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
VS-ETF150Y65U 供应商
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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标准封装
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-ETF150Y65U 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：沟道
- 配置：三级反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：142 A
- 功率 - 最大值：417 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.06V @ 15V，100A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：100 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies)：6.6 nF @ 30 V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：无
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：EMIPAK-2B
- 供应商器件封装：EMIPAK-2B
VS-ETF150Y65U 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 VS-ETF150Y65U
|
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B |
14页,284K | 查看 |
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