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更新日期：2024-04-01
VM0550-2F 中文资料属性参数
- 标准包装：3
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：HiPerFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：590A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.1 毫欧 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2000nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：50000pF @ 25V
- 功率 - 最大：2200W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商设备封装：模块
- 包装：散装
- 其它名称：Q1221985
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