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APT32F120J
FET- 封装：SOT-227-4，miniBLOC
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$34.07652-$52.53
更新日期：2024-04-01
APT32F120J
FET产品简介：MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
- 封装：SOT-227-4，miniBLOC
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$34.07652-$52.53
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APT32F120J 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：POWER MOS 8™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：33A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：320 毫欧 @ 25A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 2.5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：560nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：18200pF @ 25V
- 功率 - 最大：960W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：ISOTOP?
- 包装：管件
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