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V62/03639-02XE

Texas Instruments 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：FIFO Mil Enh 16384x18 Synch FIFO Mem
  • 参考价格：￥152.28-￥183.26

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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V62/03639-02XE

Texas Instruments 内存

产品简介：先进先出 Mil Enh 16384x18 Synch 先进先出 Mem

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：FIFO Mil Enh 16384x18 Synch FIFO Mem
  • 参考价格：￥152.28-￥183.26

V62/03639-02XE 中文资料属性参数

  • 制造商：Texas Instruments
  • 产品种类：先进先出
  • 电路数量：2
  • 数据总线宽度：9 bit, 18 bit
  • 总线定向：Unidirectional
  • 存储容量：288 Kbit
  • 定时类型：Synchronous
  • 组织：16 K x 18, 32 K x 9
  • 最大时钟频率：133 MHz
  • 访问时间：5 ns
  • Supply Voltage - Max：3.45 V
  • Supply Voltage - Min：3.15 V
  • 最大工作电流：35 mA
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 封装 / 箱体：LQFP-80
  • 封装：Tray
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工厂包装数量：90

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