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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关
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TS3DDR4000ZBAR 中文资料属性参数
- 现有数量：2,865现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥20.35000剪切带（CT）3,000 : ￥10.36270卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 应用：存储器
- 多路复用器/解复用器电路：2：1
- 开关电路：-
- 通道数：1
- 导通电阻（最大值）：11.2 欧姆
- 电压 -?电源，单 (V+)：2.375V ~ 3.6V
- 电压 - 供电，双?(V±)：-
- -3db 带宽：5.6GHz
- 特性：DDR2，DDR3，DDR4
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：48-TFBGA
- 供应商器件封装：48-NFBGA（8x3）
产品特性
- 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
- 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
- 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
- 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
- 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
- 低工作电流：40µA（典型值）
- 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
- IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
- 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
- 静电放电 (ESD) 性能: 3kV 人体放电模式（A114B，II 类） 1kV 组件充电模式 (C101)
- 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
- 1kV 组件充电模式 (C101)
- 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装
产品概述
TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。
TS3DDR4000ZBAR 电路图
TS3DDR4000ZBAR 电路图
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