TS3DDR3812RUAR

Texas Instruments 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器

封装：42-WFQFN 裸露焊盘
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
包装方式：Digi-Reel®
参考价格：$2.736-$5.47

更新日期：2024-04-01

TS3DDR3812RUAR

Texas Instruments 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器

产品简介：适用于 DDR3 应用的 3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道开关

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封装：42-WFQFN 裸露焊盘
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
包装方式：Digi-Reel®
参考价格：$2.736-$5.47

TS3DDR3812RUAR 供应商

公司
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封装/批号
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说明
询价

上海三崧电子有限公司 保2千
TS3DDR3812RUAR
TI
原厂原装
22+
3288
上海市
-
一级代理原装

深圳市讯运电子有限公司
TS3DDR3812RUAR
TI(德州仪器)
WQFN-42
2022+
4
上海市
-
原装可开发票

TS3DDR3812RUAR 中文资料属性参数

特色产品：TS3DDR3812 12-Channel 1:2 MUX/DEMUX Switch
标准包装：1
类别：集成电路 (IC)
家庭：接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：-
功能：多路复用器/多路分解器
电路：12 x 1:2
导通状态电阻：12 欧姆
电压电源：单电源
电压 - 电源，单路/双路(±)：3 V ~ 3.6 V
电流 - 电源：300µA
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：42-WFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装：42-WQFN-EP（3.5x9.0）
包装：®
其它名称：296-28307-6

产品特性

与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
1.675GHz 的宽带宽
低传播延迟（典型值 tpd = 40ps）
低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
低而平坦的导通电阻（典型值 rON = 8Ω）
低输入／输出电容（典型值 CON = 5.6pF）
低串扰（XTALK = -43dB，这是在 250MHz 时的典型值）
3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
数据 I/O 端口上的轨至轨开关（0 至 VCC）
用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准2000V 人体模型（A114B，II 类） 1000V 充电器件模型 (C101)
2000V 人体模型（A114B，II 类）
1000V 充电器件模型 (C101)
42 引脚 RUA 封装（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球间距）
DDR3 信号开关
DIMM 模块
笔记本／台式机
服务器

产品概述

TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道，1:2 多路复用器／多路解复用器开关。该产品采用 3 至 3.6V 电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容，从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组，可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。此外，本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。对于 12 位 DDR3 信号源的开关，只需外部连接 SEL1 与 SEL2，便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟／数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。

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TS3DDR3812RUAR 数据手册

数据手册	说明	数量	操作
TS3DDR3812RUAR	IC MUX/DEMUX DDR3 1:2 42WQFN	20页,860K	查看

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