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STGYA120M65DF2
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
STGYA120M65DF2
单 IGBT产品简介：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGYA120M65DF2 供应商
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ST
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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ST
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全新原装
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STMicroelectronics
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TO-247-3 裸露焊盘
23+ -
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上海市
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ST
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SMD
21+ -
40000
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上海市
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原装进口
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ST
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TO-247
21+ -
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杭州
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原厂原装现货，假一罚十
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ST
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TSSOP
23+ -
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
STGYA120M65DF2 中文资料属性参数
- 现有数量：600现货
- 价格：1 : ￥122.98000管件
- 系列：M
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：160 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：360 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，120A
- 功率 - 最大值：625 W
- 开关能量：1.8mJ（开），4.41mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：420 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：66ns/185ns
- 测试条件：400V，120A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：202 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3 裸露焊盘
- 供应商器件封装：MAX247?
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