搜索
发布采购
STGW30M65DF2
单 IGBT更新日期：2024-04-01
STGW30M65DF2
单 IGBT产品简介：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW30M65DF2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ST
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
ST
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
ST
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
ST
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
isc/固电半导体
-
TO-247
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
STMicroelectronics
-
TO-247-3
23+ -
4000
-
上海市
-
-
-
ST
-
TO-247
2318+ -
8200
-
合肥
-
-
-
只做进口原装现货
-
STMICRO
-
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab)
22+ -
11400
-
上海市
-
-
-
原装，假一罚十
STGW30M65DF2 中文资料属性参数
- 现有数量：530现货
- 价格：1 : ￥26.79000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：258 W
- 开关能量：300μJ（开），960μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：31.6ns/115ns
- 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：140 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：TO-247-3
STGW30M65DF2 相关产品
- AOB5B60D
- AOK10B60D
- AOK15B60D
- AOK30B60D1
- AOT10B60D
- AOTF5B60D
- APT40GR120S
- APT50GR120L
- APT70GR120J
- APT70GR120L
- APT85GR120JD60
- AUIRGPS4067D1
- DF160R12W2H3_B11
- F4-50R07W2H3_B51
- FGA20S125P
- FGA20S140P
- FGA30N65SMD
- FGA50S110P
- FGH30S130P
- FGH40T120SMD
- IGW30N60H3FKSA1
- IGW40N60H3FKSA1
- IGW50N65F5FKSA1
- IGW50N65H5FKSA1
- IHW30N160R2FKSA1
- IKW20N60H3FKSA1
- IKW50N60H3FKSA1
- IKW50N60TAFKSA1
- IRG7PH46UD-EP
- IRGR2B60KDTRLPBF