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STGSB200M65DF2AG
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
STGSB200M65DF2AG
单 IGBT产品简介：DISCRETE
STGSB200M65DF2AG 供应商
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STGSB200M65DF2AG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥198.56000散装
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：216 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：700 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，200A
- 功率 - 最大值：714 W
- 开关能量：3.82mJ（开），6.97mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：554 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：122ns/250ns
- 测试条件：400V，200A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：174.5 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：9-PowerSMD
- 供应商器件封装：9-ACEPACK SMIT
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