STGF10M65DF2
单 IGBT更新日期:2024-04-01
STGF10M65DF2
单 IGBT产品简介:IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
STGF10M65DF2 供应商
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ST
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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ST
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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ST
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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ST
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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STMicroelectronics
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TO-220-3 整包
23+ -
4000
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上海市
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ST
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
STGF10M65DF2 中文资料属性参数
- 现有数量:1,933现货
- 价格:1 : ¥13.20000管件
- 系列:M
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
- 功率 - 最大值:30 W
- 开关能量:120μJ(开),270μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:28 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:19ns/91ns
- 测试条件:400V,10A,22 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):96 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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