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STGE50NC60WD

STMicroelectronics IGBT
  • 封装：ISOTOP
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 参考价格：$15.3504-$24.96

更新日期：2024-04-01 00:04:00

STGE50NC60WD

STMicroelectronics IGBT

产品简介：IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP

  • 封装：ISOTOP
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 参考价格：$15.3504-$24.96

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STGE50NC60WD 中文资料属性参数

  • 其它有关文件：STGE50NC60WD View All Specifications
  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：IGBT
  • 系列：PowerMESH™
  • IGBT 类型：-
  • 配置：单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.6V @ 15V，40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)：4.7nF @ 25V
  • 功率 - 最大：260W
  • 输入：标准型
  • NTC 热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：ISOTOP
  • 供应商设备封装：ISOTOP
  • 其它名称：497-8781-5

STGE50NC60WD 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STGE50NC60WD

IGBT, N 600V 50A ISOTOP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:260W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:50A; Package / Case:ISOTOP; Power Dissipation Max:260W; Power Dissipation Pd:260W; Pulsed Current Icm:250A; Rise Time:17ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

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