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APTCV60HM45BT3G
IGBT- 封装：*
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 参考价格：$65.8788-$87.84
更新日期：2024-04-01
APTCV60HM45BT3G
IGBT产品简介：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
- 封装：*
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 参考价格：$65.8788-$87.84
APTCV60HM45BT3G 供应商
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APTCV60HM45BT3G 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：IGBT
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 配置：升压斩波器，全桥
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.9V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50A
- 电流 - 集电极截止（最大）：250µA
- Vce 时的输入电容 (Cies)：3.15nF @ 25V
- 功率 - 最大：250W
- 输入：标准型
- NTC 热敏电阻：是
- 安装类型：*
- 封装/外壳：*
- 供应商设备封装：*
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