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STGB30H65FB
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
STGB30H65FB
单 IGBT产品简介：IGBT
STGB30H65FB 供应商
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- 说明
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ST
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苏州
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STMicroelectronics
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TO-263-3，D2Pak2 引线 + 接片，TO-263AB
23+ -
4000
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上海市
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STGB30H65FB 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：HB
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：260 W
- 开关能量：151μJ（开），293μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：37ns/146ns
- 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：D2PAK（TO-263）
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