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- 封装：ISOTOP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
- 封装：ISOTOP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
STE110NS20FD 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：MESH OVERLAY™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 50A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：504nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：7900pF @ 25V
- 功率 - 最大：500W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：ISOTOP
- 供应商设备封装：ISOTOP?
- 包装：管件
- 其它名称：497-2657-5
STE110NS20FD 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STE110NS20FD
|
N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET |
8 Pages页,278K | 查看 |
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