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SST25VF040B-50-4I-QAF

内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 512K X 8 14 us
  • 参考价格：￥10.14-￥9.18

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SST25VF040B-50-4I-QAF

内存

产品简介：闪存 512K X 8 14 us

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 512K X 8 14 us
  • 参考价格：￥10.14-￥9.18

SST25VF040B-50-4I-QAF 供应商

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SST25VF040B-50-4I-QAF 中文资料属性参数

  • 制造商：Microchip
  • 产品种类：闪存
  • 存储类型：NAND
  • 存储容量：2 Mbit
  • 结构：Sectored
  • 接口类型：SPI
  • 访问时间：50 ns
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作电流：15 mA
  • 工作温度：+ 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：WSON-8
  • 封装：Tube
  • 组织：32 KB
  • 工厂包装数量：98

SST25VF040B-50-4I-QAF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SST25VF040B-50-4I-QAF

4M FLASH MEMORY, SPI EEPROM, WSON-8; Memory Type:Flash, NOR; Memory Size:4Mbit; Memory Configuration:512K x 8bit; Interface:Serial, SPI; Clock Frequency:50MHz; Supply Voltage Range:2.7V to 3.6V; Memory Case Style:WSON; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to + 85°C; Package / Case:WSON; Frequency:50MHz; Interface Type:Serial, SPI; Memory Size:4Mbit; Operating Temperature Max:+85°C; Operating Voltage Range:2.7 - 3.6 V; Supply Voltage Max:3.6V; Supply Voltage Min:2.7V; Temperature Operating Min:-40°C; Termination Type:SMD

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