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更新日期:2024-04-01 00:04:00

SK40GB123 供应商

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SK40GB123 中文资料属性参数

  • 晶体管极性::?频道
  • 饱和电压, Vce sat 最大::3V
  • 功耗, Pd::850W
  • 电压, Vceo::1.2kV
  • 封装类型::SEMITOP 2
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • SMD标号::SEMITOP2
  • 上升时间::45ns
  • 功率, Pd::850W
  • 外宽::40.5mm
  • 外部深度::28mm
  • 安装孔中心距::38mm
  • 安装孔直径::2mm
  • 封装类型::SEMITOP 2
  • 晶体管数::2
  • 最大连续电流, Ic::40A
  • 温度 @ 电流测量::25°C
  • 电压::1.2kV
  • 电压, Vces::1.2kV
  • 电流, Icm 脉冲::80A
  • 表面安装器件::螺丝
  • 集电极电流, Ic 平均值::40A
  • 集电极连续电流, Ic 最大值::27A

SK40GB123 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SK40GB123

IGBT Module

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