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2MBI150S-120
IGBT - 阵列, 模块更新日期：2024-04-01
2MBI150S-120
IGBT - 阵列, 模块2MBI150S-120 供应商
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2MBI150S-120 中文资料属性参数
- 饱和电压, Vce sat 最大:：2.6V
- 功耗, Pd:：1kW
- 电压, Vceo:：1.2kV
- 上升时间:：600ns
- 下降时间:：300ns
- 功率, Pd:：1kW
- 功耗:：1kW
- 外宽:：108mm
- 外部深度:：62mm
- 外部长度/高度:：30mm
- 封装类型:：M234
- 晶体管数:：2
- 最大连续电流, Ic:：200A
- 温度 @ 电流测量:：25°C
- 满功率温度:：25°C
- 电压, Vces:：1.2kV
- 电流, Ic @ Vce饱和:：150A
- 电流, Icm 脉冲:：400A
- 结温, Tj 最高:：150°C
- 重量:：0.18kg
- 隔离电压:：2.5kV
2MBI150S-120 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2MBI150S-120
|
IGBT MODULE ( S-Series ) |
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